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        滿足新能源充電標準 長園維安MOS模塊創新封裝
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        滿足新能源充電標準 長園維安MOS模塊創新封裝

        2019-11-21 10:21:54 來源:大比特商務網 點擊:8073

        【大比特導讀】郭建軍認為,目前MOS模塊是市面上比較熱門的氮化鎵碳化硅新材料的關鍵產品,為了做到更小的電阻,就要避免更多的單體,因此在規範化期間做到更高耐壓1200伏,1700伏則是它的優勢。

        在11月8日的“第十三屆(台湾)新能源汽車核心電源技術研討會”上,長園維安產品應用經理郭建軍先生帶來了《超結SJ-MOSFET 在充電機領域的應用》的主題演講。

        郭經理演講內容大致可分為MOSFET ID&IDM、防止LLC啟動/短路,MOSFET直通的電路,浪涌抑制電路、新能源充電機/充電樁以及長園維安SJ-MOSFET。

        作為研討會當日第一位出場演講嘉賓,郭經理首先介紹了MOSFET的內部框架,如下圖中間紅色部分是主晶元,周圍布滿銀膠形狀主要是起連接作用,最外層的塑封體是用於絕緣固化,整個框架可以理解為是一個散熱器。再如下正視圖可見,中間區域為有源區,邊緣處為終端區,如果放大內部構造看的話,是可以看到單個MOS的模塊是串聯並聯的狀態,並且單體的性能決定了整體的性能,另外MOS模塊要做到高度電壓,就要串聯更多的模塊。

        MOSFET
        MOSFET

        郭建軍認為,目前MOS模塊是市面上比較熱門的氮化鎵碳化硅新材料的關鍵產品,為了做到更小的電阻,就要避免更多的單體,因此在規範化期間做到更高耐壓1200伏,1700伏則是它的優勢。

        SJ-MOSFET主要工藝

        據郭建軍介紹,SJ-MOSFET 主要工藝 Multi-EPI 多次外延首先從為N- epi 生長、然後分散至Boron粒子注入、最後形成循環多次迭代形成結構、製作MOS表面結構。

        而SJ-MOSFET 主要工藝-Deep Trench 深溝槽首先是N- epi生長、然後刻蝕深溝槽、再者生長P型外延、最後才是製作MOS表面結構。

        MOSFET封測順序則是晶粒切割、晶粒黏貼、焊線、塑封、切割成型以及最終測試。

        MOSFET IDM

        1) 在一定的脈衝寬度下,基於功率MOSFET的轉移工作特性或輸出特性的真正的單脈衝最大電流測量值。

        2) 在一定的脈衝寬度下,基於瞬態的熱阻和最大結溫的計算值。

        (3) IDM 最大漏極電流也由器件源極鍵合引線的熔斷電流決定。

        防止LLC啟動/短路,MOSFET直通的電路

        郭建軍表示,推薦使用MOSFET 內部快速恢復二極體,而例如 INF CFD2,則有成本高,未從源頭消除問題的不足之處。

        防止LLC啟動/短路,MOSFET直通的電路

        浪涌抑制電路

        郭建軍對於浪涌抑制電路較為理想,他認為它的優勢在於GDT 小的技術電容不影響信號和系統連接;MOV 漏電流更小(MOV 理解為待機狀態,不是時刻都接入到母線中);開關電源和白色家電產品延長MOV 的壽命,提高系統可靠性。

        浪涌抑制電路
         

        車載充電機

        結合今次新能源汽車主題,長園維安第三代深溝槽工藝應用於車載充電機上防浪涌防雷電路、有源PFC整流器、主功率、輔助電源+5V和+12V。

        車載充電機
        車載充電機SJ-MOS模塊

        最後,SJ-MOS創新封裝優勢在於無引腳封裝,低寄生電感還有助於最大限度地減少電磁干擾,尺寸更小,適合更高的功率密度產品,(3200VAC,100%測試)熱阻與普通TO-22—樣省去絕緣墊片和絕緣粒節省或者減小散熱片,半橋拓撲無需使用絕緣墊。

        本文為大比特資訊原創文章,如需轉載請在文前註明來源大比特資訊及作者信息,否則將嚴格追究法律責任。

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