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        一種新型的大功率半絕緣GaAs光導開關試驗研究

        PDF文檔
        • 文件類型:PDF文檔
        • 文件大小:2.67 MB
        • 更新日期:2020-01-07 10:22:23
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        詳細介紹
        本文設計了一種低歐姆接觸電阻率的半絕緣GaAs光導開關,開關由0.6mm 厚的半絕緣GaAs材料製作,電極間隙為10mm,開關電極面製作高反膜,背面製作增透膜,使用波長1064nm、能量5.4mJ、觸發激光脈寬25ns的激光脈衝觸發光導開關,在直流電壓6kV時,通過計算得到光導開關的導通電阻僅為0.61Ω。
         
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